[发明专利]改善HIT电池电极接触电阻和电导率的方法、电极制作方法有效
申请号: | 201911044429.X | 申请日: | 2019-10-30 |
公开(公告)号: | CN110854216B | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 张磊;段晶晶;郭明波 | 申请(专利权)人: | 上海润势科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 上海海钧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31330 | 代理人: | 姜波 |
地址: | 201104 上海市闵行*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种改善HIT电池电极接触电阻和电导率的方法、电极制作方法,包括:在硅片表面制作纳米金属层作为种子层,进行第一热处理,第一热处理采用激光选区辐照,对种子层进行扫描式辐照;在种子层表面包覆导电层浆料,导电层浆料将种子层完全覆盖,不露出不漏出种子层,并与硅片表面TCO层接触;将种子层覆盖了导电层浆料后的硅片进行第二热处理,使种子层表面的导电浆料固化,与种子层一起形成电极。本申请通过种子层第一热处理+硅片第二热处理的方式,可以显著的降低接触电阻,同时可以显著的降低副栅线的电阻率,从而大幅度降低光生电流从HIT电池基体到主栅之间的传导电阻。 | ||
搜索关键词: | 改善 hit 电池 电极 接触 电阻 电导率 方法 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的