[发明专利]改善HIT电池电极接触电阻和电导率的方法、电极制作方法有效

专利信息
申请号: 201911044429.X 申请日: 2019-10-30
公开(公告)号: CN110854216B 公开(公告)日: 2021-10-01
发明(设计)人: 张磊;段晶晶;郭明波 申请(专利权)人: 上海润势科技有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 上海海钧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31330 代理人: 姜波
地址: 201104 上海市闵行*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种改善HIT电池电极接触电阻和电导率的方法、电极制作方法,包括:在硅片表面制作纳米金属层作为种子层,进行第一热处理,第一热处理采用激光选区辐照,对种子层进行扫描式辐照;在种子层表面包覆导电层浆料,导电层浆料将种子层完全覆盖,不露出不漏出种子层,并与硅片表面TCO层接触;将种子层覆盖了导电层浆料后的硅片进行第二热处理,使种子层表面的导电浆料固化,与种子层一起形成电极。本申请通过种子层第一热处理+硅片第二热处理的方式,可以显著的降低接触电阻,同时可以显著的降低副栅线的电阻率,从而大幅度降低光生电流从HIT电池基体到主栅之间的传导电阻。
搜索关键词: 改善 hit 电池 电极 接触 电阻 电导率 方法 制作方法
【主权项】:
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