[发明专利]存储器结构、静态随机存取存储器结构及系统单芯片装置有效
| 申请号： | 201911044466.0 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN111128274B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C5/02;H01L27/11 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李琛;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供一种存储器结构、一种静态随机存取存储器结构及系统单芯片(SOC)装置。根据本公开提供一种存储器结构，包括第一静态随机存取存储器(SRAM)巨集，包含复数第一栅极全环(GAA)晶体管，以及包括第二SRAM巨集，包含复数第二GAA晶体管。第一SRAM巨集的每个第一GAA晶体管包括复数第一通道区域，每个第一通道区域具有第一通道宽度W1及第一通道厚度T1。第二SRAM巨集的每个第二GAA晶体管包括复数第二通道区域，每个第二通道区域具有第二通道宽度W2及第二通道厚度T2。W2/T2大于W1/T1。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 结构 静态 随机存取存储器 系统 芯片 装置 | ||
【主权项】：
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