[发明专利]一种掺杂的Ge-Sb相变材料、相变存储器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201911046637.3 申请日: 2019-10-30
公开(公告)号: CN110911557A 公开(公告)日: 2020-03-24
发明(设计)人: 徐明;李博文;缪向水 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00
代理公司: 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 代理人: 张英
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种新型的掺杂的Ge‑Sb基相变材料、该材料的相变存储器(PCM)以及该PCM特定的操作方法。其中,掺杂的Ge‑Sb基材料的化学通式为Mx(GeiSbj)100‑x;M为掺杂元素,M为C、N、O、Sn中的至少一种;x代表M的原子个数百分比,0<x≤30,i、j代表Ge、Sb元素的原子个数百分比,0<i≤50,i+j=100;Ge‑Sb基相变材料中的掺杂元素M存在于Ge‑Sb晶界中,阻碍Ge‑Sb基材料结晶使得相变材料成为非均一相结构。再通过掺杂、电脉冲、激光等方式控制体系内分相程度,来实现所述相变材料在不同阻态之间的转变,可利用局域加热效应有效改善PCM的加热效率和耗散程度,极大的减小RESET功耗,用于解决现有技术中相变材料读写过程中密度变化大,操作能耗高等问题。
搜索关键词: 一种 掺杂 ge sb 相变 材料 存储器 及其 制备 方法
【主权项】:
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