[发明专利]一种可控硅器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201911046753.5 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN110828313A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 赖首雄;张潘德;蓝浩涛 | 申请（专利权）人： | 深圳市德芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/332 | 分类号： | H01L21/332;H01L29/74 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 张海燕 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区坂*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅器件及其制备方法，其中，衬底层的第一侧设有正面阳极发射区、阴极发射区、绝缘介质层，衬底层的第二侧设有背面阳极发射区，通过在正面阳极发射区上设置深入至第一侧表面区域中的阳极隔离区，对可控硅器件的击穿电压进行调节，从而提升可控硅器件在高温环境下的击穿电压，解决了现有的可控硅器件在高温工作环境下的击穿电压较低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可控硅 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
