[发明专利]一种超高深宽比的硅纳米针阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201911046950.7 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN110862088B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 涂学凑;孟庆雨;刘梦欣;康琳;张蜡宝;贾小氢;赵清源;陈健;吴培亨 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;C23C14/02;C23C14/16;C23C14/30;C23C14/58;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 封睿 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种超高深宽比的硅纳米针阵列的制备方法，在硅衬底上旋涂MMA和PMMA A2双层光刻胶；对涂覆MMA和PMMA A2双层光刻胶的硅衬底进行电子束曝光，在硅衬底上制作抗蚀剂图形；对形成抗蚀剂图形的硅衬底进行电子束蒸发，在硅衬底上沉积一层Al薄膜；对沉积Al薄膜后的硅衬底进行剥离，得到沉积在硅衬底上的Al薄膜阵列，为后续ICP刻蚀工艺提供掩膜；对覆盖Al掩膜的硅衬底进行ICP硅刻蚀，制作硅纳米针阵列结构。通过本发明工艺流程能够稳定地获得超高深宽比的硅纳米针阵列结构，单个硅纳米针形态良好，侧壁光滑，最小针尖直径达到10nm，深宽比可达1450。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高深 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学，未经南京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911046950.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种恒功率输出电源的过压保护电路
- 下一篇：一种定子铁芯叠装夹具
