[发明专利]一种硅基小型共口径双频双极化宽带阵列天线有效

专利信息
申请号: 201911047103.2 申请日: 2019-10-30
公开(公告)号: CN110707427B 公开(公告)日: 2021-12-24
发明(设计)人: 丁勇;郭培培;张乐琦;苏坪;潘超群;杨晓明;徐晟 申请(专利权)人: 上海无线电设备研究所
主分类号: H01Q1/38 分类号: H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q21/06;H01Q21/30;H01Q5/30;H01Q5/50
代理公司: 上海元好知识产权代理有限公司 31323 代理人: 徐雯琼;章丽娟
地址: 200233 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种硅基小型共口径双频双极化宽带阵列天线,包含若干个双频双极化天线单元,每个双频双极化天线单元采用层叠结构,由低频段辐射单元、高频段辐射单元、两个频段馈电结构以及金属接地板组成。低频段辐射单元开方形孔,置入高频段辐射单元以实现共口径。采用高阻硅作为介质基板,极大减小阵元尺寸,满足小型化需求。通过挖空一层硅基引入空气层的方式来展宽天线带宽。本发明共口径双频双极化宽带阵列天线能够同时工作在频率比约为2的两个频段,两个频段的特征都是双极化,天线阵布局合理,具有结构简单、尺寸小、极化性能好、天线隔离度高等优点。
搜索关键词: 一种 小型 口径 双频 极化 宽带 阵列 天线
【主权项】:
1.一种硅基小型共口径双频双极化宽带阵列天线,其特征在于,包含若干个双频双极化天线单元,所述双频双极化天线单元包含双极化的高频段天线单元和双极化的低频段天线单元,所述高频段天线单元嵌套于对应的所述低频段天线单元内实现共口径;/n所述高频段天线单元和所述低频段天线单元通过硅基高密度三维集成方法形成四层硅基堆叠结构,由上至下依次为第一硅基层、第二硅基层、第三硅基层和第四硅基层;/n所述第一硅基层的上表面设有低频段上层金属层,所述第一硅基层的下表面为高频段上层金属层;所述第二硅基层上开设有挖槽;所述第三硅基层的上表面设有低频段下层金属层、高频段下层金属层以及低频段馈线;所述第四硅基层的上表面设置蚀刻有正交耦合缝隙的金属接地板,所述第四硅基层的下表面设有高频段馈线。/n
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