[发明专利]一种GaN基光热探测薄膜元件

摘要

本发明涉及一种GaN基光热探测薄膜元件，所述薄膜元件包括单晶衬底、[p‑GaN/n‑GaN]N超晶格、金属电极、引线、吸收层、减反射保护层、导热胶和热沉，所述单晶衬底为(00l)取向并沿c轴斜切，所述[p‑GaN/n‑GaN]N超晶格交替外延生长在单晶衬底上，以p‑GaN面截止并刻蚀梯形台面，所述金属电极设置在[p‑GaN/n‑GaN]N超晶格和单晶衬底的c轴倾斜方向的两侧，形成欧姆接触，所述金属电极由所述引线导出并与信号输入端连接，所述吸收层覆盖在[p‑GaN/n‑GaN]N超晶格的有效探测表面，所述减反射保护层覆盖在吸收层上，所述热沉通过导热胶与单晶衬底连接固定。本发明的薄膜探测元件体积小、灵敏度高、破坏阈值大、响应速度快，适用于大批量规模生产，能同时实现宽光谱探测和热辐射探测。

主权项

1.一种GaN基光热探测薄膜元件，其特征在于，所述薄膜元件包括单晶衬底、[p-GaN/n-GaN]