[发明专利]半导体器件的制作方法、超结器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201911047824.3 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN110767743A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 罗顶;何云;袁家贵;管浩 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02;H01L21/8232 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制作方法、超结器件及其制作方法。在半导体器件的制作方法中，在衬底上仅需形成一层硬掩膜层，通过先在硬掩膜层上开出不同深度的开口，以所述硬掩膜层作为掩膜可以预先刻蚀出较深的第一沟槽，在刻蚀形成第三沟槽时不需要再做第二层硬掩膜层和/或光刻胶，预先刻蚀的第一沟槽的深度不再受现有技术中后续还需再做第二层硬掩膜层和/或光刻胶时填充困难的工艺限制，第二沟槽的深度与第三沟槽的深度之差(即第一沟槽的深度)有较大范围。在超结器件及其制作方法中，终端区沟槽的深度与元胞区沟槽的深度之差(即第一预设深度)有较大范围，对终端区的耐压大大改善，从而提高超结器件整体耐压能力和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 硬掩膜层 超结器件 刻蚀 半导体器件 光刻胶 终端区 制作 工艺限制 耐压能力 元胞区 衬底 耐压 掩膜 预设 填充 开口 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底；所述衬底上形成有硬掩膜层；/n图形化所述硬掩膜层，图形化的硬掩膜层中具有第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出所述衬底，所述第二开口未暴露出所述衬底；/n以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述衬底，形成对应于第一开口的第一沟槽；/n整体刻蚀所述硬掩膜层，以使第二开口下方的硬掩膜层被刻蚀而形成第三开口，所述第三开口暴露出所述衬底；/n以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述衬底，形成对应于所述第一开口的第二沟槽，和对应于所述第三开口的第三沟槽，所述第二沟槽的深度大于第三沟槽的深度。/n
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