[发明专利]一种磁性随机存储器势垒层和自由层结构单元及其制备方法有效
| 申请号： | 201911048592.3 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN112750946B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/85 | 分类号： | H10N50/85;H10N50/10;H10N50/01 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种磁性随机存储器势垒层和自由层结构单元及其制备方法，在溅射沉积MgO形成所述势垒层后，进行一定时间的热处理，再冷却到室温或更低温度，以使得在自由层沉积之前所述势垒层具有NaCl晶系晶体结构，并具备(001)平面晶向；自由层内部按照第一自由子层,B吸收层，第二自由子层的依次向上叠加设置；第一自由子层组成材料为CoFeB，FeB，Fe/FeB、CoFe/FeB、Fe/CoFeB或CoFe/CoFeB，其中B含量为百分比5％‑15％，以其具有晶胞尺寸不大于2nm的纳米级晶态结构；再溅射沉积一层所述B吸收层，其组成材料包含W、Zr、Ti、V、Cr、Al、Nb、Mo、Ta、Hf元素中之一；最后溅射沉积所述第二自由子层，其组成材料为CoFeB或CoB，其B含量为百分比15％‑35％，使其具有非晶态结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 随机 存储器 势垒层 自由 结构 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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