[发明专利]基于镧氧化物的RRAM及其制备方法在审
| 申请号： | 201911049301.2 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110828663A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 沈棕杰;赵春;赵策洲;杨莉;黄彦博;温嘉铖 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴;丁浩秋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于镧氧化物的RRAM，包括由下至上依次层叠设置的基底、阻变氧化层和上电极层；所述基底包括透明玻璃层和下电极层；所述阻变氧化层为La |
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| 搜索关键词： | 基于 氧化物 rram 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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