[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201911049401.5 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN111048631B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;董彬忠;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。将发光二极管外延片中的InGaN/GaN多量子阱层设置为包括多个交替层叠的第一复合单元与第二复合单元。第一复合单元包括层叠的第一InGaN阱层与第一GaN垒层，第二复合单元包括层叠的第二InGaN阱层与第二GaN垒层，第一InGaN阱层的厚度小于第二InGaN阱层的厚度，第二InGaN阱层保证InGaN/GaN多量子阱层的发光效率，厚度小于第二InGaN阱层的第一InGaN阱层，则可以在保证发光效率的同时减小第二InGaN阱层中的In含量，减小第一InGaN阱层会带来的极化效应。设置厚度大于第一GaN垒层的第二GaN垒层起到阻挡电子的作用，保证在InGaN/GaN多量子阱层中复合的电子与空穴的数量，整体提高InGaN/GaN多量子阱层的发光效应。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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