[发明专利]金属薄膜电阻、应用金属薄膜电阻的集成电路和制造方法有效
| 申请号： | 201911049928.8 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110993582B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 刘建;税国华;刘青;胡镜影;王飞;阚玲 | 申请（专利权）人： | 重庆中科渝芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙) 50237 | 代理人： | 王翔;左倩 |
| 地址： | 401332 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了适用于多层金属布线的金属薄膜电阻、应用金属薄膜电阻的集成电路和集成电路制造方法；金属薄膜电阻包括平坦化的IMD金属间介质层(201)、有效薄膜电阻区和2个电阻端头。集成电路包括集成电路基底、金属淀积次顶层、金属薄膜电阻和金属淀积顶层。制造方法主要步骤为：1)确定集成电路基底。2)形成金属淀积次顶层。3)形成金属薄膜电阻。4)形成金属淀积顶层。本发明能兼容到任何工艺中，具有工艺简单，兼容性好，稳定性高，且不用考虑主工艺的线宽等一系列优点。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 薄膜 电阻 应用 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
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