[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制备方法和显示器件

摘要

本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法和显示器件，首先在填充有纳米粒子的源/漏极模具和栅极模具上分别浇注聚合物溶液，固化后，翻模，得到源/漏极模板和栅极模板；然后分别在源/漏极模板和栅极模板表面制备金属层；接着将源/漏极金属层转印至柔性衬底上，然后在柔性衬底的金属层上制备绝缘层；最后将栅极金属层与制备有绝缘层的柔性衬底对准；将栅极金属层转印在柔性衬底上的绝缘层上，得到所述的有机薄膜晶体管；本发明通过利用增加聚合物模板有机薄膜晶体管源/漏极(或栅极)中纳米粒子含量来提高聚合物模板的杨氏模量并降低其热膨胀系数，限制聚合物模板在转移印刷过程中产生机械变形和热变形，实现有机薄膜晶体管高效、精确地转移印刷，从而生产电接触性良好的有机薄膜晶体管器件。

主权项

1.一种有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1、制备源/漏极模板和栅极模板/n在具有微米或纳米源/漏极阵列结构的模具表面填充足量纳米粒子，并使纳米粒子填入微米或纳米源/漏极阵列结构中；/n在具有微米或纳米栅极阵列结构的模具表面填充足量纳米粒子，并使纳米粒子填入微米或纳米栅极阵列结构中；/n将聚合物溶液浇注在填充有纳米粒子的源/漏极阵列结构或栅极阵列结构的模具表面，真空处理，固化，翻模，分别得到源/漏极模板和栅极模板；/n步骤2、在步骤1的源/漏极模板表面制备源/漏极金属层；在步骤1的栅极模板表面制备栅极金属层；/n步骤3、在柔性衬底表面制备有机半导体层，并将源/漏极金属层转印至有机半导体层上；/n步骤4、在转印后的源/漏极金属层表面制备绝缘层；/n步骤5、将步骤2中的栅极金属层转印至步骤4中的绝缘层上，得到所述的有机薄膜晶体管。/n