[发明专利]半导体器件及其制造方法和系统有效
| 申请号： | 201911051119.0 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN111128999B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 黄博祥;刘钦洲;陈胜雄;张丰愿;庄惠中;汪孟学;郑仪侃;陈俊臣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/67;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种生成包括第一金属化层级(M_lst层级)的布局图的方法包括：在布局图中识别填充单元和基本上邻接填充单元的第一功能单元；第一功能单元包括第一和第二侧边界、M_lst层级中的第一布线图案，并且表示第一功能单元区域中的相应的第一导体；并且切割图案的第一组和第二组位于第一布线图案的相应部分上面，并且与相应的第一和第二侧边界基本对准；调整第二组的相应的一个或多个选择的切割图案的一个或多个位置，从而相应地延长一个或多个选择的第一布线图案，以便成为跨越第一功能单元的第二边界延伸到填充单元中的相应的第一延长布线图案。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法和系统。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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