[发明专利]掩膜版、检测光刻机漏光程度的方法有效
| 申请号： | 201911051616.0 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110727168B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 李玉华 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/44 | 分类号： | G03F1/44;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种掩膜版、检测光刻机漏光程度的方法，涉及半导体制造领域。该方法包括提供一片涂有光刻胶的晶圆和一包括条宽测试图形和全遮光图形的掩膜版；利用掩膜版进行第一次曝光；平移掩膜版，令晶圆表面的部分条宽测试图形被掩膜版上的全遮光图形完全覆盖；进行第二次曝光并显影，显影后的晶圆表面包括重复曝光条宽测试图形和初始曝光条宽测试图形；获取重复曝光条宽测试图形的条宽和初始曝光条宽测试图形的条宽，确定出光刻机的漏光程度；解决了现有检测方法无法既快速又准确地得到光刻机漏光程度的问题；达到了快速准确地测定光刻机漏光程度的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜版 检测 光刻 漏光 程度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掩膜版，其特征在于，包括图形区域，所述图形区域设置有若干个量测单元图形，所述量测单元图形沿X方向和Y方向排列；/n每个所述量测单元图形包括条宽测试图形和全遮光图形；/n所述条宽测试图形是四个测试条图形围成十字形图形，每个测试条图形由交替排列的遮光条、透光条组成；/n其中，若所述条宽测试图形在所述全遮光图形的正下方，所述条宽测试图形被所述全遮光图形完全覆盖。/n
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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