[发明专利]一种基于金属檐结构的GaN基完全垂直肖特基变容管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201911051857.5 申请日: 2019-10-31
公开(公告)号: CN110808292B 公开(公告)日: 2023-07-18
发明(设计)人: 祁路伟;张德海;孟进 申请(专利权)人: 中国科学院国家空间科学中心
主分类号: H01L29/93 分类号: H01L29/93;H01L29/872;H01L21/329
代理公司: 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 代理人: 陈琳琳;张红生
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种基于金属檐结构的GaN基完全垂直肖特基变容管及其制备方法,所述变容管的结构包括:硅衬底层,硅衬底层上由下往上依次为衬底保护层、键合层、欧姆金属层、n+‑GaN层、n‑GaN层、肖特基接触金属层;肖特基接触金属层上为阳极pad,在键合层上还设置与键合层接触的阴极pad。本发明有效提高反偏特性,体现在反向击穿电压的增加、反偏时漏电流的降低,从而有效提高倍频效率。
搜索关键词: 一种 基于 金属 结构 gan 完全 垂直 肖特基变容管 及其 制备 方法
【主权项】:
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