[发明专利]一种用于显示屏的LED芯片在审
| 申请号： | 201911052815.3 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110729386A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;庄家铭;余金隆 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于显示屏的LED芯片，包括基体、设于基体上的第一半导体层、设于第一半导体层上的有源层和N电极、设于有源层上的第二半导体层、以及设于第二半导体层上的P电极，所述基体的底面为斜面，所述斜面向P电极的外侧倾斜，以将水解析出物沉积在P电极的外侧且远离N电极，水解析出物不仅不会导通N电极和P电极，还不会遮挡发光区域，进而防止芯片短路漏电，提高芯片的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 析出物 水解 源层 芯片 漏电 出光效率 发光区域 外侧倾斜 短路 导通 底面 沉积 遮挡 显示屏 | ||
【主权项】：
1.一种用于显示屏的LED芯片，包括基体、设于基体上的第一半导体层、设于第一半导体层上的有源层和N电极、设于有源层上的第二半导体层、以及设于第二半导体层上的P电极，其特征在于，所述基体的底面为斜面，所述斜面向P电极的外侧倾斜，以将水解析出物沉积在P电极的外侧且远离N电极。/n
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