[发明专利]接触孔结构的形成方法及该接触孔结构有效

申请号：	201911053373.4	申请日：	2019-10-31
公开（公告）号：	CN110690166B	公开（公告）日：	2022-03-18
发明（设计）人：	鲍宇	申请（专利权）人：	上海华力集成电路制造有限公司
主分类号：	H01L21/768	分类号：	H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532
代理公司：	上海浦一知识产权代理有限公司 31211	代理人：	戴广志
地址：	201203***	国省代码：	上海;31
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本申请公开了一种接触孔结构的形成方法及该接触孔结构，包括：在介质层上形成凹槽；依次在凹槽的底部和侧壁形成扩散阻挡层和浸润层，浸润层的在形成的过程中在凹槽的开口处形成突起结构；通过第一溅射工艺和第二溅射工艺在扩散阻挡层和浸润层的表面沉积铜籽晶，去除突起结构；在铜籽晶上形成铜层，该铜层填充凹槽；对凹槽外剩余的扩散阻挡层和铜层进行去除处理。本申请通过在接触孔的凹槽的底部和侧壁形成扩散阻挡层和浸润层后，通过第一溅射工艺和第二溅射工艺在扩散阻挡层和浸润层的表面沉积铜籽晶，去除浸润层在凹槽开口处形成的突起结构，从而扩大了凹槽的开口尺寸，便于后续的导电材料填充，在一定程度上提高了器件制造的良率。
搜索关键词：	接触结构形成方法
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【主权项】：

1.一种接触孔结构的形成方法，其特征在于，包括：/n在介质层上形成凹槽；/n依次在所述凹槽的底部和侧壁形成扩散阻挡层和浸润层，所述浸润层的在形成的过程中在所述凹槽的开口处形成突起结构；/n依次通过第一溅射工艺和第二溅射工艺在所述扩散阻挡层和所述浸润层的表面沉积铜籽晶，去除所述突起结构，所述第一溅射工艺的垂直角度大于所述第二溅射工艺的垂直角度，所述第一溅射工艺的偏压能量大于所述第二溅射工艺的偏压能量；/n在所述铜籽晶上形成铜层，所述铜层填充所述凹槽；/n对所述凹槽外剩余的扩散阻挡层和铜层进行去除处理。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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