[发明专利]具有不同宽度的源极与漏极触点的半导体装置在审
| 申请号： | 201911054212.7 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN111129013A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 邱上轩;庄惠中;杨荣展;田丽钧 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有不同宽度的源极与漏极触点的半导体装置包括基板中的主动区域。主动区域在第一方向上延伸。半导体装置进一步包括栅极结构，该栅极结构在与第一方向不同的第二方向上延伸。栅极结构跨主动区域延伸。半导体装置进一步包括多个源极/漏极触点，该多个源极/漏极触点在第二方向上延伸并且在栅极结构的相对侧上重叠主动区域中的多个源极/漏极区域。多个源极/漏极触点的第一源极/漏极触点具有第一宽度，并且多个源极/漏极触点的第二源极/漏极触点具有小于第一宽度的第二宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 不同 宽度 触点 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
