[发明专利]一种碳包覆二硫化锗及其制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 201911054651.8 申请日: 2019-10-31
公开(公告)号: CN110739453B 公开(公告)日: 2021-06-22
发明(设计)人: 欧星;肖志明;王春辉;张佳峰;张宝 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/58;H01M4/62;H01M10/054
代理公司: 长沙星耀专利事务所(普通合伙) 43205 代理人: 王艳;宁星耀
地址: 410083 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 一种碳包覆二硫化锗及其制备方法与应用。本发明碳包覆二硫化锗的通式为GeS2@C,其呈直径为400~600nm的空心球,表层由碳包覆。本发明制备方法,将锗源溶液、聚苯乙烯小球和碳源分散均匀形成悬浊液,冷冻干燥得到前驱体,然后将前驱体在惰性气氛下进行碳化,得到碳化材料,最后将碳化材料在还原气氛下硫化,得到碳包覆二硫化锗。本发明碳包覆二硫化锗呈空心球状结构,可有效缓解采用其制备的负极材料在充放电过程因体积膨胀引起的结构破坏,提高负极材料的循环稳定性。本发明制备方法操作简单,能够制备得到呈空心球状结构的碳包覆二硫化锗。
搜索关键词: 一种 碳包覆二 硫化 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种碳包覆二硫化锗,其特征在于,通式为GeS
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