[发明专利]MOSFET器件及制备方法在审
| 申请号： | 201911054780.7 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN112750905A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 杨涛涛;邱凯兵;肖秀光;吴海平;陈刚 | 申请（专利权）人： | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 张美君 |
| 地址： | 518119 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MOSFET器件及制备方法，MOSFET器件包括：依次层叠设置的漏极金属层、第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、绝缘栅介质层、多晶硅栅极层、绝缘介质隔离层和漏极金属层，多晶硅栅极层具有露出绝缘栅介质层的第一开口，第一导电类型外延层内设有第二导电类型阱区；第二导电类型阱区内设有第二导电类型接触区和第一导电类型源极区；源极金属层填充第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽贯穿绝缘介质隔离层、第一开口和绝缘栅介质层，且露出第一导电类型源极区的上表面；第二沟槽贯穿绝缘介质隔离层、第一开口、绝缘栅介质层和第一导电类型，且延伸至第二导电类型接触区；第一沟槽和第二沟槽之间形成叉指状分布且相互连通。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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