[发明专利]自耦变压器高压侧的调压方法、器身结构及自耦变压器在审
| 申请号： | 201911055033.5 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN112750603A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 孙银年;赵国峰;马勇;杨炜;伊新萍;高娃 | 申请（专利权）人： | 特变电工京津冀智能科技有限公司;特变电工智能电气有限责任公司 |
| 主分类号： | H01F27/28 | 分类号： | H01F27/28;H01F27/24;H01F29/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 罗建民;邓伯英 |
| 地址： | 301700 天津市武清区汽车产业*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种自耦变压器高压侧的调压方法，包括：将低压绕组、分接绕组和公共绕组分别绕制在同一恒磁通铁心柱上；将激磁绕组和串联绕组分别绕制在同一变磁通铁心柱上；将串联绕组与公共绕组串联连接，将激磁绕组与分接绕组串联后与低压绕组并联；调整分接绕组的接入匝数，从而改变变磁通铁心柱上的激磁绕组的电压，使得同一变磁通铁心柱上的串联绕组的电压相应改变，以实现对该自耦变压器高压侧的调压。还提供一种自耦变压器的器身结构及自耦变压器。该方法通过使用低电压等级的分接开关对高电压侧绕组进行调压，从而可降低分接开关的制造难度，降低变压器成本。 | ||
| 搜索关键词： | 自耦变压器 高压 调压 方法 结构 | ||
【主权项】：
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