[发明专利]生长在石墨烯基板上GaN纳米柱阵列的无损伤转移工艺获得柔性紫外探测器及方法在审
| 申请号： | 201911056975.5 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110690312A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 李国强;郑昱林;王文樑;唐鑫;陈胜;杨昱辉 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/0224;H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 何淑珍;冯振宁 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了生长在石墨烯基板上GaN纳米柱阵列的无损伤转移工艺获得柔性紫外探测器及方法。该方法先在石墨烯衬底上外延生长GaN纳米柱阵列，得到结构A；再在结构A表面旋涂PMMA并加热固化，得到结构B；接着湿法刻蚀去除结构B的衬底层，得到PMMA/GaN纳米柱阵列/石墨烯复合薄膜，并将其转移至镀上电极结构的柔性衬底上，转移后再旋涂PMMA并加热固化，使得第一层PMMA内部的应力得到释放，实现GaN纳米柱阵列/石墨烯与柔性衬底的完美贴合，防止裂纹和皱褶的出现，最后去除PMMA，得到柔性紫外探测器。本发明实现了紫外探测器的透明化、柔性化，可用于智能穿戴、弯曲显示、柔性传感成像等领域，经济效益可观。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米柱阵列 紫外探测器 衬底 加热固化 石墨烯 旋涂 去除 石墨烯复合薄膜 电极结构 湿法刻蚀 石墨烯基 外延生长 完美贴合 衬底层 第一层 柔性化 透明化 无损伤 皱褶 传感 可用 穿戴 成像 释放 智能 生长 | ||
【主权项】：
1.生长在石墨烯基板上GaN纳米柱阵列的柔性紫外探测器，其特征在于，自下至上依次包括柔性衬底（6）、所述柔性衬底上的一对叉指电极（5）、所述叉指电极上方的石墨烯层（2）以及生长在石墨烯层（2）上面的GaN纳米柱阵列（3）。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
