[发明专利]半导体衬底在审
| 申请号： | 201911058290.4 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN111146179A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | G·特罗斯卡;H·哈通;M·诺曼 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/373 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体衬底(10)，其包括电介质绝缘层(110)和附接到所述电介质绝缘层(110)的第一金属化层(111)。所述电介质绝缘层(110)包括具有处于25至180W/mK之间的导热率和处于15至50kV/mm之间的绝缘强度的第一材料(40)、和第二导电或半导电材料(41)，其中，所述第二材料(41)均匀分布在所述第一材料(40)内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 | ||
【主权项】：
暂无信息
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