[发明专利]对于浅沟槽隔离(STI)工艺抑制SiN去除速率并减少氧化物沟槽凹陷在审
| 申请号： | 201911058969.3 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN111117492A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 史晓波;K·P·穆瑞拉;J·D·罗斯;周鸿君;M·L·奥内尔 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/3105;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于浅沟槽隔离(STI)应用的化学机械平面化抛光(CMP)组合物。该CMP组合物包含二氧化铈涂覆的无机氧化物颗粒作为磨料，例如二氧化铈涂覆的二氧化硅颗粒；选自以下的化学添加剂：含有炔键和至少两个或多个具有末端羟基的乙氧基化物官能团的有机炔属分子、在同一分子中具有至少两个或多个羟基官能团的有机分子及其组合；水溶性溶剂；和任选地，杀生物剂和pH调节剂；其中所述组合物的pH为2至12，优选3至10，并且更优选4至9。 | ||
| 搜索关键词： | 对于 沟槽 隔离 sti 工艺 抑制 sin 去除 速率 减少 氧化物 凹陷 | ||
【主权项】：
暂无信息
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