[发明专利]标准单元在审
| 申请号： | 201911059092.X | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN111146196A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 都桢湖 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/088;H01L29/10;H01L29/78;H03K19/20 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;赵莎 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了标准单元。所述标准单元可以包括：具有第一导电类型的第一垂直场效应晶体管(VFET)、具有第二导电类型的第二VFET以及具有所述第一导电类型的第三VFET。所述第一VFET可以包括第一沟道区域，所述第一沟道区域从衬底突出，并且所述第一沟道区域具有第一长度。所述第二VFET可以包括第二沟道区域，所述第二沟道区域从所述衬底突出，并且所述第二沟道区域具有第二长度。所述第三VFET可以包括从所述衬底突出的第三沟道区域。所述第一沟道区域、所述第二沟道区域和所述第三沟道区域可以彼此间隔开，并且可以沿着一个方向顺序地布置，所述第二长度可以大于所述第一长度的1.5倍。 | ||
| 搜索关键词： | 标准 单元 | ||
【主权项】：
暂无信息
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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