[发明专利]一种同心环型大面积硅漂移探测器、设计方法及应用在审
| 申请号： | 201911059572.6 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN110729382A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 李正;母恒恒;刘曼文 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/08;G01T1/24;G06F30/3308 |
| 代理公司： | 50230 重庆市信立达专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 陈炳萍 |
| 地址： | 411105 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明属于探测器技术领域，公开了一种同心环型大面积硅漂移探测器、设计方法及应用，计算探测器的电极和电阻的宽度分布；计算硅漂移探测器电场电压分布；确定漂移电场和漂移时从点S1到点S2的最佳漂移路径；确定硅漂移探测器后表面的设计；漂浮电极的设计。本发明对SDD载流子漂移行为规律与重掺杂电极生长的分析。设计具有双面相关的既保持均匀电子漂移电场又提供平滑漂移轨迹的双面电极，建立强度在0.5～15keV软X射线粒子的高能量分辨率、高效收集SDD的创新设计制作方式。在同心圆型的硅漂移探测器电极之间利用ALD技术沉积一层分压电阻，使同心圆型的探测器在不需要外加分压器的情况下可正常工作。 | ||
| 搜索关键词： | 漂移 硅漂移探测器 电极 漂移电场 同心圆型 探测器 载流子 探测器技术领域 计算探测器 大面积硅 电场电压 电极生长 分压电阻 双面电极 行为规律 软X射线 分压器 高能量 后表面 同心环 重掺杂 分辨率 平滑 电阻 沉积 粒子 漂浮 制作 应用 分析 | ||
【主权项】：
1.一种同心环型大面积硅漂移探测器的设计方法，其特征在于，所述同心环型大面积硅漂移探测器的设计方法包括以下步骤：/n第一步，计算探测器的电极和电阻的宽度分布；/n第二步，计算硅漂移探测器电场电压分布；/n第三步，确定漂移电场和漂移时从点S1到点S2的最佳漂移路径；/n第四步，确定硅漂移探测器后表面的设计；/n第五步，漂浮电极的设计。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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