[发明专利]一种监测少层二维材料中缺陷影响激子传输的方法及应用有效
| 申请号： | 201911059804.8 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN110726701B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 刘大猛;刘欢;王冲;陈新春;李津津;雒建斌 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01N21/63 | 分类号： | G01N21/63;G01N21/88;G01N21/95;G01N23/04;G01N23/20 |
| 代理公司： | 北京锺维联合知识产权代理有限公司 11579 | 代理人： | 黄利萍;原春香 |
| 地址： | 100084 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种监测少层二维材料中缺陷影响激子传输的方法及应用，该方法包括：提供原始少层二维材料样品；通过瞬态吸收显微镜(TAM)对样品进行测量获取激子寿命；由TAM获取不同延迟时间的激子密度的代表性TAM图像，通过高斯函数拟合确定激子的扩散系数和扩散距离；对样品进行等离子体处理并进行缺陷识别，再通过TAM对样品进行测量，使用双指数函数来拟合样品的瞬态吸收动力学曲线获取激子寿命；同样通过高斯函数拟合确定经等离子体处理后样品中激子的扩散系数和扩散距离。本发明通过TAM成像监测出样品在不同等离子体处理时间下的激子传输的变化，能够快速直观的测量缺陷对激子传输的影响，为优化相关元件性能提供指导。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 监测 二维 材料 缺陷 影响 激子 传输 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种监测少层二维材料中缺陷影响激子传输的方法，其特征在于：包括以下步骤：/n1)提供原始少层二维材料样品；/n2)通过所述瞬态吸收显微镜(TAM)对上述原始少层二维材料样品进行测量，使用单指数函数拟合所述原始少层二维材料样品的瞬态吸收动力学曲线，获取所述原始少层二维材料样品中激子寿命τ；/n3)将瞬态吸收显微镜中的泵浦光束固定在一个位置，利用探测光束通过检流计扫描所述原始少层二维材料样品以获取不同延迟时间的激子密度的代表性TAM图像，通过高斯函数拟合TAM图像，确定该原始少层二维材料样品中激子的扩散系数D和扩散距离L；/n4)对上述原始少层二维材料样品进行不同时间的等离子体处理以引入缺陷,然后相应的对经过等离子体处理后的样品进行缺陷识别，再通过瞬态吸收显微镜对经过不同时间等离子体处理下的原始少层二维材料样品进行测量，使用双指数函数
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