[发明专利]一种硅基单通道传输结构、同轴阵列传输结构及加工方法有效
| 申请号： | 201911061299.0 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN110783679B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 曾鸿江;赵翔 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 |
| 主分类号： | H01P3/00 | 分类号： | H01P3/00;H01P3/10;H01P11/00 |
| 代理公司： | 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 | 代理人： | 张祥 |
| 地址： | 230000 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅基单通道传输结构，其特征在于：包括两个轴向平行叠放的两个单层硅基板，两个单层硅基板重叠面的中间具有贯穿单层硅基板轴向并将两个单层硅基板隔开的通信金属层，两个单层硅基板和通信金属层构成的双层硅基板的外侧还包覆有屏蔽金属层。本发明还提供了一种硅基同轴阵列传输结构，包括多个同轴设置并沿单层硅基板的接触面法向和/或垂直法向方向排列的单通道传输结构，相邻单通道传输结构的屏蔽金属层互相连接。本发明还提供了硅基同轴阵列传输结构的加工方法。本发明提供的一种硅基单通道传输结构、同轴阵列传输结构及加工方法的优点在于：传输结构采用TEM模式传输信号，传输速率高、时延串扰低、抗电磁干扰能力强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基单 通道 传输 结构 同轴 阵列 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅基单通道传输结构，其特征在于：包括两个轴向平行叠放的两个单层硅基板，两个单层硅基板重叠面的中间具有贯穿单层硅基板轴向并将两个单层硅基板隔开的通信金属层，两个单层硅基板和通信金属层构成的双层硅基板的外侧还包覆有屏蔽金属层。/n
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