[发明专利]一种纳米图案的制作方法、纳米压印基板、显示基板有效
| 申请号： | 201911061678.X | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN110764364B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 张笑 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供一种纳米图案的制作方法、纳米压印基板、显示基板，涉及显示技术领域，可简化纳米图案的制作工艺，降低生产成本。该方法为在衬底基板上的N个压印区(其中，N≥3，N为整数)依次形成纳米图案。包括：在图案转移层对应第i(1≤i＜N‑2，i为正整数)个压印区，形成第i次压印图案。形成第i层保护层，至少覆盖i次压印图案，且在对应第i+1个压印区的位置具有开口。在图案转移层对应第i+1个压印区的位置，形成第i+1次压印图案。形成第i+1层保护层，至少覆盖i+1次压印图案，并在对应第i+2个压印区的位置具有开口。在图案转移层对应第N个压印区的位置，形成第N次压印图案后，去除所有保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 图案 制作方法 压印 显示 | ||
【主权项】：
1.一种纳米图案的制作方法，其特征在于，包括：/n在衬底基板上覆盖一层图案转移层；其中，所述衬底基板包括N个压印区；其中，N≥3，N为整数；/n在所述图案转移层上，依次在所述N个压印区内形成压印图案，包括：/n在所述图案转移层对应第i个压印区的位置，形成第i次压印图案；/n形成第i层保护层；所述第i层保护层至少覆盖i次压印图案，且在i层保护层对应第i+1个压印区的位置具有开口；/n在所述图案转移层对应所述第i+1个压印区的位置，形成第i+1次压印图案；/n形成第i+1层保护层；所述第i+1层保护层至少覆盖i+1次压印图案，并在i+1层保护层对应第i+2个压印区的位置具有开口；其中，1≤i＜N-2，i为正整数；/n在所述图案转移层对应第N个压印区的位置，形成第N次压印图案后，所述在所述图案转移层上，依次在所述N个压印区内形成压印图案还包括去除所有保护层。/n
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