[发明专利]一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法有效
| 申请号： | 201911061684.5 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN110629289B | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 周春锋;兰天平;边义午;宋禹;王东兴 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/42;C30B28/06;C30B11/00;B24B29/02 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 胡京生 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法，采用HGF法合成砷化镓多晶，去除尾部杂质富集多晶，剩余多晶王水处理清洗干净，砷化镓籽晶、砷化镓多晶、碳粉、氧化硼和少量黑砷装入PBN坩埚中，再装入石英管内抽真空焊接密封，装入多温区VGF单晶炉中，采用VGF/VB生长半绝缘砷化镓单晶，采用开管惰性气体保护单晶热处理，经头尾片测试证明生长出半绝缘砷化镓单晶性能达标。然后滚圆、多线切割、倒角、粗抛光，在氧气气氛和不饱和砷蒸汽保护条件下，对抛光片热处理，再经精细抛光、清洗、封装。技术效果是开发出砷化镓抛光片制备流程，同时结合新的晶片退火的技术，降低半绝缘砷化镓抛光片表面在强光灯下目检的亮、暗点缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低亮暗点 英寸 绝缘 砷化镓 抛光 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：/n㈠采用HGF法合成砷化镓多晶：利用砷蒸汽注入高温镓熔体生成砷化镓多晶熔体，采用HGF法定向结晶，去除多晶尾部化学计量比偏离、杂质富集区，剩余的多晶打磨棱角和表面异物，经王水腐蚀、清洗、烘干；/n㈡采用掺碳VGF/VB法生长半绝缘砷化镓单晶：首先把砷化镓籽晶、砷化镓多晶、碳粉、氧化硼和少量黑砷装入PBN坩埚中，再装入石英管内抽真空＜10
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