[发明专利]MOSFET的阈值电压的测量方法有效
| 申请号： | 201911062930.9 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110763972B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 张瑜;商干兵 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOSFET的阈值电压的测量方法，包括步骤：步骤一、将MOSFET的栅极和漏极短接，在漏极注入漏极电流，测量源漏电压并作为初始阈值电压；步骤二、根据初始阈值电压设定栅极电压测量范围；步骤三、在栅极电压测量范围内测量MOSFET的线性工作区的静态转移特性曲线；步骤四、从静态转移特性曲线得到最大跨导值并线性外推形成最终阈值电压。本发明能提高测量速率同时不影响或提高测量精度，能实现快速精确测量。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 阈值 电压 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种MOSFET的阈值电压的测量方法，其特征在于，包括步骤：/n步骤一、将MOSFET的栅极和漏极短接，在漏极注入漏极电流，测量源漏电压；以所测量的源漏电压为初始阈值电压；/n步骤二、根据所述初始阈值电压设定栅极电压测量范围，所述初始阈值电压位于所述栅极电压测量范围内，所述初始阈值电压减小第一值得到所述栅极电压测量范围的下限值，所述初始阈值电压增加第二值得到所述栅极电压测量范围的上限值；/n步骤三、在所述栅极电压测量范围内测量所述MOSFET的线性工作区的静态转移特性曲线；/n步骤四、从所述静态转移特性曲线得到最大跨导值并线性外推形成所述最终阈值电压。/n
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