[发明专利]有机半导体单晶膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种有机半导体单晶膜的制备方法，用喷墨打印机在基底上进行喷墨打印，干燥，得到有机半导体单晶膜，其中，基底为Si/SiO2硅片，基底用于喷墨打印一面的疏水性能为纯水接触角为10～20°，喷墨打印采用喷墨打印墨水，喷墨打印墨水由邻二氯苯、异佛尔酮、有机半导体和表面活性剂混合而成，喷墨打印墨水中邻二氯苯和异佛尔酮的体积比为3:1，喷墨打印墨水中有机半导体的浓度为2～3mg/ml，喷墨打印墨水中表面活性剂的浓度为0.1～0.3mg/ml，表面活性剂为全氟辛基磺酸钾。有机半导体单晶膜无晶界，缺陷少，制备而成的场效应晶体管性能得到了提高，发现最高迁移率达1.57cm2V‑1s‑1。