[发明专利]一种基于磁响应的快速可逆形状记忆方法有效
申请号: | 201911063974.3 | 申请日: | 2019-11-04 |
公开(公告)号: | CN110828656B | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 龚珣;邓谦;申胜平;谭楷;文馨;陈一霄 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H01L41/47 | 分类号: | H01L41/47;B29C61/06 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 何会侠 |
地址: | 710049 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于磁响应的快速可逆形状记忆方法,属于功能材料技术领域,该方法在聚合物中添加硬磁微粒,使样品变形至记忆形状后放入磁场中磁化,从而在样品中引入的程序化磁畴已记录形状信息,再次施加磁场刺激时,由磁场诱导的机械载荷使样品立即变形至记忆形状,刺激消失后样品随即自动恢复初始形状,实现快速可逆形状记忆功能;本发明通过在样品中引入程序化磁畴记录形状信息,由磁场诱导的机械载荷使样品变形至记忆形状,方法简单可行。该方法为形状记忆功能材料设计和应用提供了一种新的快速的实现方式,本发明必将推动新型功能材料的快速发展。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 响应 快速 可逆 形状 记忆 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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