[发明专利]一种在金刚石衬底上沉积高C轴取向氮化铝薄膜的方法有效
| 申请号： | 201911064779.2 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN112760604B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 刘皓;徐瑶华;张晓;赵文瑞;魏峰 | 申请（专利权）人： | 有研工程技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/02 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101407 北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在金刚石衬底上沉积高C轴取向氮化铝薄膜的方法，涉及压电薄膜制备技术领域。本发明采用射频反应磁控溅射技术，具体步骤包括真空预处理、衬底预处理、靶材预溅射、薄膜沉积，随着一次或多次沉积过程的进行，不固定可单独调节的工艺参数，而是在其原有基础上进行调整，从而控制靶材自偏压一直稳定在设定值。本发明在金刚石上沉积的氮化铝薄膜具有高C轴取向，且相较于传统方法具备较高的工艺稳定性和重复性，便于节约成本、保证薄膜性能的一致性，适用于工业大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金刚石 衬底 沉积 取向 氮化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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