[发明专利]一种硫空位缺陷制备硫化物半导体/金属纳米粒子的方法及其应用有效
| 申请号： | 201911064878.0 | 申请日： | 2019-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN112756000B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李盼;王军梅;杨尚坤;刘应敏;王立晶;瞿鹏 | 申请（专利权）人： | 商丘师范学院 |
| 主分类号： | B01J27/04 | 分类号： | B01J27/04;B01J23/50;B01J23/52;B01J35/08;C01B3/04 |
| 代理公司： | 郑州中原专利事务所有限公司 41109 | 代理人： | 张春 |
| 地址： | 476000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硫空位缺陷制备硫化物半导体/金属纳米粒子的方法，包括以下步骤：（1）制备具有硫空位的硫化物半导体的悬浊液体；（2）制备金属离子前驱体溶液；（3）将具有硫空位缺陷的硫化物半导体的悬浊液体与金属离子前驱体溶液混合；采用上述方法制得的硫化物半导体/金属纳米粒子用于光降解、光解水、光催化还原二氧化碳领域，优先选择光解水；本发明利用硫化物本身存在的缺陷的还原特性，可直接还原金属离子前驱体溶液，在半导体缺陷表面上直接生长金属纳米粒子，不仅起到钝化半导体表面缺陷的作用，还可以使沉积在半导体表面的金属纳米粒子与半导体具有较紧密的界面接触，该方法操作简单，无需外部能量的输入，只需要搅拌即可制备此复合催化剂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 空位 缺陷 制备 硫化物 半导体 金属 纳米 粒子 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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