[发明专利]一种制备单晶二维过渡金属硫族化合物的方法有效
| 申请号： | 201911065167.5 | 申请日： | 2019-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN112760714B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 刘开辉;王金焕;徐小志 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B25/18 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 王欣 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备单晶二维过渡金属硫族化合物的方法，所述方法包括以特定晶向的a‑plane三氧化铝作为衬底，高温下生长大面积单晶二维过渡金属硫族化合物，其中，所述特定晶向为11‑20/0001。所述二维过渡金属硫族化合物包含二硒化钼、二硫化钼、二硒化钨等所有过渡金属硫族化合物。所述方法解决了化学气相沉积法制备二维过渡金属硫族化合物单晶尺寸小的问题。通过简单、高效的方法，实现了单晶二维过渡金属硫族化合物的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 二维 过渡 金属 化合物 方法 | ||
【主权项】：
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