[发明专利]基于InGaAs/InAlAs/InP雪崩光电探测器的结构优化方法

摘要

本发明公开了一种基于InGaAs/InAlAs/InP雪崩光电探测器的结构优化方法，所述结构优化方法包括：根据雪崩探测器的实际结构和类型建立起相应仿真模型，并将所述雪崩探测器的实际性能与仿真模型的仿真实验结果进行拟合，之后依据拟合结果优化该雪崩探测器的倍增层掺杂浓度、电荷层掺杂浓度和电荷层厚度等，最终得到优化后的器件结构。本发明提供的方法能够通过模拟计算优化器件的外延结构，从而有效地控制雪崩光电二极管器件内部电场分布情况，进而实现对器件贯穿电压、击穿电压等特性的有效控制，从而提高器件性能并满足实际需求，具有广泛应用前景。