[发明专利]电荷泵系统、控制电路及其数字控制方法有效

专利信息
申请号: 201911065796.8 申请日: 2019-11-04
公开(公告)号: CN110798063B 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: 唐原;徐仁泰 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种电荷泵系统、控制电路及其数字控制方法,包括:差分放大器,用于接收反馈电压和参考电压,并生成输出信号;振荡电路,用于生成时钟脉冲;电荷泵,用于接收所述时钟脉冲,并生成输出电压;与所述电荷泵的输出相连的汲流源;第一对共源共栅晶体管,用于生成数字信号;以及反相器,用于根据所述输出信号,将所述数字信号反向,以生成第一数字信号,其中,该第一数字信号输入至所述汲流源。当所述反馈电压高于所述参考电压时,生成所述第一数字信号,并导通所述汲流源。当所述反馈电压低于所述参考电压时,不生成所述第一数字信号,并关闭所述汲流源。
搜索关键词: 电荷 系统 控制电路 及其 数字控制 方法
【主权项】:
1.一种电荷泵系统,用于根据电荷泵的输出生成数字控制信号,其特征在于,所述电荷泵系统包括:/n一差分放大器,用于接收一反馈电压和一参考电压,并根据所述反馈电压和所述参考电压之间的差值,生成一输出信号;/n一电荷泵,用于根据所述输出信号生成一输出电压,所述输出电压作为所述反馈电压输入至所述差分放大器;/n一汲流源,包括一金属-氧化物半导体场效应晶体管,其中所述金属-氧化物半导体场效应晶体管连接于所述电荷泵的所述输出与接地端之间;/n第一对共源共栅晶体管,连于电源和接地端之间,用于生成数字信号,所述第一对共源共栅晶体管包括:/n一PMOS,所述第一对共源共栅晶体管中的所述PMOS的源极与所述电源相连,所述第一对共源共栅晶体管中的所述PMOS的栅极与所述差分放大器的所述输出信号相连;以及/n一NMOS,所述第一对共源共栅晶体管中的所述NMOS的漏极与所述第一对共源共栅晶体管中的所述PMOS的漏极相连,所述第一对共源共栅晶体管中的所述NMOS的源极接地,所述第一对共源共栅晶体管中的所述NMOS的栅极与一恒定偏压相连;以及/n一反相器,与所述第一对共源共栅晶体管中的所述PMOS的所述漏极相连,用于根据所述输出信号将所述数字信号反向,以生成第一数字信号,其中,所述第一数字信号输入至所述汲流源的栅极,其中,当所述反馈电压高于所述参考电压时,生成所述第一数字信号并导通所述汲流源;当所述反馈电压低于所述参考电压时,不生成所述第一数字信号并关闭所述汲流源。/n
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