[发明专利]原位制备高能晶面择优金红石型二氧化钛薄膜的方法有效

专利信息
申请号: 201911066665.1 申请日: 2019-11-04
公开(公告)号: CN110747451B 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: 肖帆;刘升沛;陈劲宇 申请(专利权)人: 浙江工业大学
主分类号: C23C18/12 分类号: C23C18/12
代理公司: 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 代理人: 王利强
地址: 310014 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 为解决骨‑植入体在复杂应力环境下的界面可靠性问题,本发明提供了一种在钛/钛合金植入体上原位制备{001}高能晶面择优的金红石二氧化钛薄膜的方法。Ti‑O薄膜与钛/钛合金基体有很好的结合力,因为高能晶面的曝露使其在体液中能有效诱导类骨磷灰石自发沉积(24h),与周围骨组织可以实现分子水平的化学键合,实现连续的应力传递,可极大地提高植入体的生物活性,改善骨‑植入体的界面有效性,本发明制备方法简单,原料成本低廉,所需设备简单,无需特殊装置。适用于不同大小、形状及结构的钛/钛合金基体,具有实用性。
搜索关键词: 原位 制备 高能 择优 金红石 氧化 薄膜 方法
【主权项】:
1.原位制备高能晶面择优的金红石型二氧化钛薄膜的方法,包括以下操作:/n制备处理溶液:将盐酸和三氯化钛混合,制得前驱液,再将过氧化氢加入到前驱液,充分混合均匀制成处理溶液,所述的处理溶液中钛离子摩尔浓度是12~24mmol/L;/n二氧化钛纳米阵列薄膜的沉积处理:将金属基体和处理溶液同时置于容器中,在140~200℃下反应75min~240min小时,反应结束后将基体取出,经去离子水清洗后,基体表面即可获得二氧化钛薄膜。/n
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