[发明专利]一种任意入射条件下电光晶体相位延迟分析方法在审
| 申请号： | 201911066834.1 | 申请日： | 2019-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN110908147A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 杜小平;张朋;赵继广 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军战略支援部队航天工程大学 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 郑久兴 |
| 地址： | 101416*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种任意入射条件下电光晶体相位延迟分析方法，属于光调制技术领域。所述方法具体如下：1)利用折射率椭球理论确定外电场作用下电光晶体的感应折射率；2)利用电磁波理论确定任意入射条件下折射光波的折射率；3)计算任意入射条件下折射光波矢量和光线矢量；4)计算快光和慢光在电光晶体内传播的光程长，得到二者的相位延迟。本发明给出了计算电光晶体相位延迟所需的各个参数的解析表达形式，具有精度高、速度快、占用内存小的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 任意 入射 条件下 电光 晶体 相位 延迟 分析 方法 | ||
【主权项】：
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