[发明专利]一种基于双MOS栅控的N型碳化硅晶闸管及其制备方法有效
| 申请号： | 201911066932.5 | 申请日： | 2019-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN110896102B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 元磊;杨柳;汤晓燕;宋庆文;张艺蒙;张玉明;张义门 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/745;H01L29/749;H01L21/28;H01L21/04;H01L21/332 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于双MOS栅控的N型碳化硅晶闸管，包括：钝化层(1)、阳极接触金属(2)、关断栅极接触金属(3)、开启栅极接触金属(4)、栅氧化层(5)、P+短路区(6)、N+阳极区(7)、P‑漂移区(8)、N‑漂移区(9)、缓冲层(10)、衬底(11)以及阴极接触金属(12)。本发明通过引入双MOS栅结构，将器件的驱动控制从传统的电流型转变为电压型，有利于前端控制电路的设计、实现以及功耗的降低；且开启栅和关断栅独立工作，分别控制器件的开启和关断，有利于器件在开关或脉冲工作状态下的快速导通和关断，可以显著提高器件的工作频率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mos 碳化硅 晶闸管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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