[发明专利]基于液相MXene材料的薄膜均匀沉积、高精度图案化的光电器件规模化制备方法有效
| 申请号： | 201911067484.0 | 申请日： | 2019-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN112768610B | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 孙东明;李波;朱钱兵;崔聪;王晓辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | H10K71/12 | 分类号： | H10K71/12;H10K71/16;H10K30/10 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及MXene基光电探测器的研发与应用领域，具体为一种基于液相MXene材料的薄膜均匀沉积、高精度图案化的光电器件规模化制备方法。本发明通过匀胶机旋涂MXene材料悬浮液，在硅片上制备均匀的MXene材料薄膜；采用光刻‑干法刻蚀工艺，实现MXene材料薄膜的高精度图案化。MXene基光电探测器由硅衬底及硅衬底上的电极、半导体层、透明导电薄膜层构成，半导体层采用掺杂形成的n型硅，透明导电薄膜层采用MXene材料，电极采用Ti层与Au层复合。利用光刻‑干法刻蚀工艺，实现了大面积MXene材料薄膜的图案化，进而构筑出高分辨率的MXene基光电探测器，具有良好的光电性能和循环寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 mxene 材料 薄膜 均匀 沉积 高精度 图案 光电 器件 规模化 制备 方法 | ||
【主权项】：
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