[发明专利]一种原子层沉积技术生长Mnx

摘要

本发明公开了一种原子层沉积技术生长MnxN薄膜的方法，属于半导体制备技术领域。本发明的方法包括以下步骤：(1)将衬底置于反应腔中，在真空条件下，以脉冲形式向反应腔中通入气相Mn源进行沉积，得到沉积有Mn源的衬底，所述Mn源为具有式1所示结构的化合物；(2)向体系中充入惰性气体进行吹扫；(3)将氮源以脉冲形式通入反应腔，与沉积在衬底上的Mn源进行单原子反应，得到单原子层的MnxN薄膜；(4)向体系中充入惰性气体吹扫，完成一个ALD循环，将上述循环过程重复多次，即可得到一定厚度的MnxN薄膜。本发明能够在纳米级的半导体器件上沉积形成保型性较好的含MnxN沉积层。