[发明专利]一种基于双MOS栅控的P型碳化硅晶闸管及其制备方法有效
| 申请号： | 201911067748.2 | 申请日： | 2019-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN110783400B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 汤晓燕;周腾鹏;元磊;宋庆文;张艺蒙;张玉明;张义门 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/745 | 分类号： | H01L29/745;H01L29/749;H01L21/04 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于双MOS栅控的P型碳化硅晶闸管，包括：钝化层(1)、阳极接触金属(2)、关断栅极接触金属(3)、开启栅极接触金属(4)、栅氧化层(5)、N+短路区(6)、P+阳极区(7)、N‑漂移区(8)、P‑漂移区(9)、缓冲层(10)、衬底(11)以及阴极接触金属(12)。本发明通过引入双MOS栅结构，将器件的驱动控制从传统的电流型转变为电压型，有利于前端控制电路的设计、实现以及功耗的降低；且开启栅和关断栅独立工作，分别控制器件的开启和关断，有利于器件在开关或脉冲工作状态下的快速导通和关断，可以显著提高器件的工作频率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mos 碳化硅 晶闸管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于双MOS栅控的P型碳化硅晶闸管，其特征在于，包括：钝化层(1)、阳极接触金属(2)、关断栅极接触金属(3)、开启栅极接触金属(4)、栅氧化层(5)、N+短路区(6)、P+阳极区(7)、N-漂移区(8)、P-漂移区(9)、缓冲层(10)、衬底(11)以及阴极接触金属(12)，其中，/n所述缓冲层(10)、所述P-漂移区(9)、所述N-漂移区(8)、所P+阳极区(7)依次设置于所述衬底(11)上表面，所述阴极接触金属(12)设置于所述衬底(11)的下表面；/n所述N+短路区(6)设置在所述P+阳极区(7)内部右上方且与所述P+阳极区(7)的上表面平齐；/n所述栅氧化层(5)包括彼此间隔的两部分，其一部分设置在所述P+阳极区(7)的右侧并延伸至所述N+短路区(6)上部和N-漂移区(8)上部，另一部分设置在所述N-漂移区(8)的左侧并延伸至所述P+阳极区(7)上部和所述P-漂移区(9)上部；/n所述开启栅极接触金属(4)和所述关断栅极接触金属(3)分别设置在所述栅氧化层(5)的表面并部分覆盖所述栅氧化层(5)；/n所述阳极接触金属(2)设置在所述P+阳极区(7)和所述N+短路区(6)的上表面，并位于所述栅氧化层(5)的两部分之间；/n所述钝化层(1)设置在所述关断栅极接触金属(3)、所述开启栅极接触金属(4)、以及所述阳极接触金属(2)的部分上表面。/n
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