[发明专利]一种微带环行器、隔离器及T/R组件有效
申请号: | 201911068258.4 | 申请日: | 2019-11-05 |
公开(公告)号: | CN110571503B | 公开(公告)日: | 2020-02-04 |
发明(设计)人: | 满吉令;张善伦;张鹏宇;鲍晓凤;梁超 | 申请(专利权)人: | 成都八九九科技有限公司;华为技术有限公司 |
主分类号: | H01P1/387 | 分类号: | H01P1/387;H01P1/36 |
代理公司: | 51250 成都时誉知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 李正 |
地址: | 610000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种微带环行器,可应用于隔离器以及微波通信中,尤其在T/R组件中使用量巨大;该微带环行器的旋磁层包括第一基板和嵌设于该第一基板上的旋磁体;而且,第一基板的介电常数高于旋磁体的介电常数。由于旋磁层采用这种复合结构,能够整体上提升介电常数,在与现有技术产品相同的性能要求下,本发明的微带环行器可减小中心导体的面积,进而减小整个微带环行器的面积,实现真正意义上的小型化。 | ||
搜索关键词: | 环行器 微带 第一基板 介电常数 减小 旋磁 微波通信 复合结构 技术产品 性能要求 中心导体 隔离器 嵌设 应用 | ||
【主权项】:
1.一种微带环行器,包括旋磁层,设置在旋磁层上表面且具有多个连接部的中心导体,以及设置在中心导体上方的永磁体,其特征在于,所述旋磁层包括第一基板和嵌设于所述第一基板上的旋磁体;其中,所述第一基板的介电常数高于所述旋磁体的介电常数;/n所述旋磁层的下表面设置有第一接地金属层,以及多个与所述连接部一一对应的连接端;其中,所述第一接地金属层与各个所述连接端绝缘隔离,相对应的所述连接端与所述连接部呈电性连接;其中,旋磁层的侧边设置有多个金属化凹槽或金属连接线,每个连接部延伸至旋磁层上表面的边缘,并通过金属化凹槽或金属连接线与旋磁层下表面相应的连接端电性连接;/n还包括第二基板;其中,所述第二基板的上表面设置有第二接地金属层,以及多个与所述连接端一一对应的信号端,且所述第二接地金属层与各个所述信号端绝缘隔离;所述第二基板的下表面设置有多个分别与所述第二接地金属层、各个所述信号端相对应呈电性连接的焊接区域;所述旋磁层设置在所述第二基板之上,且所述旋磁层的下表面与所述第二基板的上表面呈面对面设置,所述第一接地金属层与所述第二接地金属层呈电性连接,相对应的所述连接端与所述信号端呈电性连接;而且,所述第二基板侧边设置有多个金属化凹槽或金属连接线,并通过金属化凹槽或金属连接线,实现第二接地金属层和信号端与其对应焊接区域的电性连接。/n
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