[发明专利]基于多谐振荡器的NPN BJT型电源控制器在审

专利信息
申请号: 201911069523.0 申请日: 2019-11-05
公开(公告)号: CN110739831A 公开(公告)日: 2020-01-31
发明(设计)人: 周丹;陈怡;谢路耀 申请(专利权)人: 浙江工业大学
主分类号: H02M1/00 分类号: H02M1/00;H02M1/08
代理公司: 33241 杭州斯可睿专利事务所有限公司 代理人: 王利强
地址: 310014 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 一种基于多谐振荡器的NPN BJT型电源控制器,包括端口Vcc、端口Vin、端口Vss和端口Out,还包括NPN型BJT管Q1、NPN型BJT管Q2、电容C1、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、二极管D1、二极管D2、受控电流源1、受控电流源2和输出单元。所述电源控制器可与电源中的高压侧功率半导体器件相连,也可以与电源中的低压侧功率半导体器件相连,将直接影响电源中功率半导体器件的开关工作周期和占空比。本发明可自激运行、结构简单、利于集成、可靠性高、工作电压范围宽,特别适合较高输入电压的应用场合。
搜索关键词: 电阻 功率半导体器件 电源控制器 受控电流源 二极管 电容 电源 开关工作周期 半导体器件 多谐振荡器 高输入电压 高压侧功率 工作电压 输出单元 影响电源 占空比 自激
【主权项】:
1.一种基于多谐振荡器的NPN BJT型电源控制器,其特征在于:所述电源控制器包括端口Vcc、端口Vin、端口Vss和端口Out,还包括NPN型BJT管Q1、NPN型BJT管Q2、电容C1、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、二极管D1、二极管D2、受控电流源1、受控电流源2和输出单元,所述输出单元包括端口a和端口b,电阻R1的一端同时与电阻R2的一端、电阻R3的一端以及端口Vcc相连,电阻R1的另一端同时与NPN型BJT管Q1的集电极、电容C1的一端以及输出单元的端口a相连,NPN型BJT管Q1的基极同时与二极管D1的阴极以及电阻R4的一端相连,电阻R3的另一端同时与NPN型BJT管Q2的集电极以及电容C2的一端相连,NPN型BJT管Q2的基极同时与电阻R5的一端以及二极管D2的阴极相连,电阻R2的另一端同时与受控电流源1的第一端口、电容C1的另一端口以及电阻R5的另一端口相连,受控电流源2的第一端口与端口Vin相连,受控电流源2的第二端口同时与电阻R4的另一端以及电容C2的另一端相连,NPN型BJT管Q1的发射极同时与受控电流源1的第二端口、二极管D1的阴极、二极管D2的阴极、NPN型BJT管Q2的发射极以及端口Vss相连,输出单元的端口b与端口Out相连;/n流入受控电流源1第一端口的电流is1影响NPN型BJT管Q1导通时电容C1的充电速度以及NPN型BJT管Q2导通时电容C1的放电速度,进而影响端口a的控制信号;/n流出受控电流源2第二端口的电流is2影响NPN型BJT管Q2导通时电容C2的充电速度以及Q1导通时C2的放电速度,进而影响端口a的控制信号;/n所述输出单元将端口a的控制信号转化为端口b的驱动信号,使所述电源控制器具有驱动功率半导体器件的能力;/n所述电源控制器控制电源中功率半导体器件的开关状态,所述电源为所述电源控制器提供必要的电能,所述电源控制器的端口Vcc为主供电口正端,所述电源控制器的端口Vss为主供电口负端,所述电源控制器的端口Out与所述电源中功率半导体器件的控制端口相连,所述电源控制器的端口Vin为受控电流源2的供电端。/n
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