[发明专利]基于多谐振荡器的NPN BJT型电源控制器在审
申请号: | 201911069523.0 | 申请日: | 2019-11-05 |
公开(公告)号: | CN110739831A | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 周丹;陈怡;谢路耀 | 申请(专利权)人: | 浙江工业大学 |
主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00;H02M1/08 |
代理公司: | 33241 杭州斯可睿专利事务所有限公司 | 代理人: | 王利强 |
地址: | 310014 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种基于多谐振荡器的NPN BJT型电源控制器,包括端口Vcc、端口Vin、端口Vss和端口Out,还包括NPN型BJT管Q1、NPN型BJT管Q2、电容C1、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、二极管D1、二极管D2、受控电流源1、受控电流源2和输出单元。所述电源控制器可与电源中的高压侧功率半导体器件相连,也可以与电源中的低压侧功率半导体器件相连,将直接影响电源中功率半导体器件的开关工作周期和占空比。本发明可自激运行、结构简单、利于集成、可靠性高、工作电压范围宽,特别适合较高输入电压的应用场合。 | ||
搜索关键词: | 电阻 功率半导体器件 电源控制器 受控电流源 二极管 电容 电源 开关工作周期 半导体器件 多谐振荡器 高输入电压 高压侧功率 工作电压 输出单元 影响电源 占空比 自激 | ||
【主权项】:
1.一种基于多谐振荡器的NPN BJT型电源控制器,其特征在于:所述电源控制器包括端口Vcc、端口Vin、端口Vss和端口Out,还包括NPN型BJT管Q1、NPN型BJT管Q2、电容C1、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、二极管D1、二极管D2、受控电流源1、受控电流源2和输出单元,所述输出单元包括端口a和端口b,电阻R1的一端同时与电阻R2的一端、电阻R3的一端以及端口Vcc相连,电阻R1的另一端同时与NPN型BJT管Q1的集电极、电容C1的一端以及输出单元的端口a相连,NPN型BJT管Q1的基极同时与二极管D1的阴极以及电阻R4的一端相连,电阻R3的另一端同时与NPN型BJT管Q2的集电极以及电容C2的一端相连,NPN型BJT管Q2的基极同时与电阻R5的一端以及二极管D2的阴极相连,电阻R2的另一端同时与受控电流源1的第一端口、电容C1的另一端口以及电阻R5的另一端口相连,受控电流源2的第一端口与端口Vin相连,受控电流源2的第二端口同时与电阻R4的另一端以及电容C2的另一端相连,NPN型BJT管Q1的发射极同时与受控电流源1的第二端口、二极管D1的阴极、二极管D2的阴极、NPN型BJT管Q2的发射极以及端口Vss相连,输出单元的端口b与端口Out相连;/n流入受控电流源1第一端口的电流is1影响NPN型BJT管Q1导通时电容C1的充电速度以及NPN型BJT管Q2导通时电容C1的放电速度,进而影响端口a的控制信号;/n流出受控电流源2第二端口的电流is2影响NPN型BJT管Q2导通时电容C2的充电速度以及Q1导通时C2的放电速度,进而影响端口a的控制信号;/n所述输出单元将端口a的控制信号转化为端口b的驱动信号,使所述电源控制器具有驱动功率半导体器件的能力;/n所述电源控制器控制电源中功率半导体器件的开关状态,所述电源为所述电源控制器提供必要的电能,所述电源控制器的端口Vcc为主供电口正端,所述电源控制器的端口Vss为主供电口负端,所述电源控制器的端口Out与所述电源中功率半导体器件的控制端口相连,所述电源控制器的端口Vin为受控电流源2的供电端。/n
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
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