[发明专利]LDMOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911069541.9 | 申请日： | 2019-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN111063732A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 艾瑞克·布劳恩;乔伊·迈克格雷格;郑志星 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成都市成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 公开了一种LDMOS器件及其制造方法。该LDMOS器件具有多个漏极接触结构，每个漏极接触结构具有漏极接触、第一漏极接触金属层和通孔。漏极接触位于漏区上；第一漏极接触金属层位于漏极接触上；通孔位于第一漏极接触金属层上。该LDMOS器件还具有第二漏极接触金属层，其与每个漏极接触结构的通孔相电耦接。第一漏极接触金属层和漏极接触的尺寸减小，使得第一漏极接触金属层和漏极接触与场板接触和场板接触金属层之间的边缘场减小，从而，相应的寄生电容也得到减小。当LDMOS器件用作开关器件时，寄生电容的减小有助于降低开关操作中的功率损耗并提高开关效率。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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