[发明专利]磷化铟晶棒裁切衬底晶圆片的方法在审
申请号: | 201911070369.9 | 申请日: | 2019-11-05 |
公开(公告)号: | CN111152375A | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
发明(设计)人: | 史艳磊;孙聂枫;王书杰;赵红飞;李亚旗;付莉杰;王阳;李晓岚;邵会民;刘惠生;姜剑 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | B28D5/04 | 分类号: | B28D5/04;B28D7/00 |
代理公司: | 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人: | 王苑祥;张永霞 |
地址: | 050000 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明一种磷化铟晶体裁切衬底晶圆片的方法,属于半导体衬底制备领域,包括步骤:1)定向,将晶棒切割头尾,调整晶棒方位试切,至切割出所需晶向的晶片,切割端面为定向端面;2)多线切割,在多线切割设备上,平行于定向端面分割晶棒为晶片;3)清洗,清洗晶片,至表面无残渣、无污物;4)割圆,晶片进行割圆,裁取所需晶向区域。该技术方案中,对于直径控制难度大,生长过程中容易出现孪晶/夹晶的磷化铟晶棒,摒弃会将大量的InP材料磨削去除的滚磨工序,先将晶棒多线切割为晶片,再从晶片中最大化的裁切与标准尺寸相近的晶向可用的衬底晶圆,可以大幅提高出片量,减少材料损失和浪费。 | ||
搜索关键词: | 磷化 铟晶棒裁切 衬底 晶圆片 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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