[发明专利]一种氮化硼封装的二维有机-无机异质结及其制备方法在审
| 申请号： | 201911071005.2 | 申请日： | 2019-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN110676384A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 卞正;高丽;王欣然;疏静 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L51/40 |
| 代理公司： | 32360 南京泰普专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 210094 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化硼封装的二维有机‑无机异质结及其制备方法，属于二维半导体材料领域。其制备方法包括如下步骤：将氮化硼转移到硅片衬底，并在底层氮化硼上外延生长出有机薄膜；用细针带起金电极和顶层氮化硼，放置在待转移的二维无机材料上；然后用细针带起金电极、顶层氮化硼及二维无机材料，并置于有机薄膜的底层氮化硼上，最后将封装后的异质结置于真空装置中，使二维有机材料和/或二维无机材料紧密贴合。本发明通过采用氮化硼代替传统玻璃薄膜作为封装层，不仅能够起到很好的封装作用，能隔绝外界水氧对二维材料的影响，而且能够增加电子迁移率；而且，以带洞的金电极做支撑层，即方便后期去除，又可以实现快速转移、精确对准。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化硼 二维 无机材料 金电极 封装 有机薄膜 异质结 顶层 细针 制备 电子迁移率 二维半导体 材料领域 传统玻璃 二维材料 紧密贴合 快速转移 外延生长 有机材料 真空装置 封装层 外界水 支撑层 硅片 衬底 去除 薄膜 对准 | ||
【主权项】：
1.一种氮化硼封装的二维有机-无机异质结，其特征在于，包括：/n衬底，其材质为硅片；/n底部封装层，其材质为二维氮化硼，设置在所述衬底上；/n二维纳米层，由至少两层的二维有机材料和/或二维无机材料形成的层状异质结结构，并设置在所述底部封装层上；/n顶部封装层，其材质为二维氮化硼，设置在所述二维纳米层的另一侧。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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